收藏本站
型号 SI5504DC-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5504DC-T1-E3 PDF
代理商 SI5504DC-T1-E3
产品目录绘图 DC-T1-E3 Series 1206-8
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.9A，2.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 2.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7.5nC @ 10V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI5504DC-T1-E3TR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI5504DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8